半導體類

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  瞬態電壓抑制二極管 (TVS)

  瞬態抑制二極管也稱硅雪崩二極管，擁有比普通二極管更大PN結面積和更大的同流能力，廣泛應用于電子元件瞬變電壓防護。

  截止電壓: 3.3V~600V;   峰值功率: 200~30KW   電流: 最大達30KA(8/20uS） 高結溫:最高可達

  
  

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  可控硅 (Thyristors)

  可控硅是常開式固態開關，能 夠承受額定閉塞/斷態電壓直 至受觸發而切換為導通狀態， 可作為開關或功率調節應用。

  低漏電流：獨特的保護層設計，IDRM<1uA@VDRM        高結溫：超高靜動態能力，150oC 高結溫環境        抗干擾能力強：無緩沖設計, dv/dt > 1000V

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  靜電二極管陣列 (ESD)

  瞬態抑制二極管陣列設計用于保 護數字和模擬信號線免受靜電放 電(ESD)，電快速瞬變(EFT)，以 及雷擊引起的浪涌電流的破壞。

  結電容：最小可達0.3pF        尺寸：最小可達0.6*0.3mm        封裝：多樣化，集成度高        功率：70~1800W（8/20uS）

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  半導體放電管 (TSS)

  半導體放電管是基于可控硅工藝的半導體開關管，相對TVS管有更高的浪涌防護和更低的殘壓，用于各種通訊端口。

  截止電壓：6V~600V   浪涌等級：2/4/6 KV   結電容值：15pF～150pF   封裝：SMA、SMB、SOP8

非半導體類

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  氧化鋅壓敏電阻(MOV)

  金屬氧化物壓敏電阻用于抑制 瞬變電壓，如雷電威脅、AC線 應用中，其特點為高電壓、高通流、低成本。

  電壓: 18V~1800V        電流: 70kA (8/20μs)     容值: 100-1000pF        MOV: 5mm - 53mm        TMOV: 14mm、20mm、25mm

  
  

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  陶瓷氣體放電管(GDT)

  陶瓷氣體放電管屬于開關型過 壓保護器，工作原理基于惰性 氣體間隙放電，能夠承受極高 的瞬態浪涌。

  電壓: 75V~6KV    浪涌能力: 100KA (8/20μs)    尺寸: 2極&3極，多尺寸    電容值：0.5～25 pF    封裝：軸心引線式、貼片式

  
  

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  玻璃氣體放電管(SPG)

  玻璃氣體放電管兼具陶瓷氣體 放電管和半導體放電管的優點， 具有浪涌能力高、體積小、反應速度快的特點。

  電壓范圍：140~ 4000V   浪涌電流：3KA(8/20uS）   尺寸大?。害?.4mm~φ4.1mm   可靠性高：耐高溫、耐潮濕

  
  

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  自恢復保險絲(PPTC)

  自恢復保險絲是一種高分子聚 合物正系數溫度元件，用于應 對電路過電流威脅，動作恢復 后能反復使用。

  維持電流: 30mA~14A .尺寸封裝: 0603、0805、1206、 1210、1812、2016、 2920、 LY16、 LY30、LY60、 LY130、 LY250、LY600